全球首款:SK 海力士宣布完成 HBM4 开发并准备量产
9 月 12 日消息,SK 海力士刚刚宣布已成功完成面向 AI 的超高性能存储器新产品 HBM4 的开发,并在全球范围内率先构建了量产体系。
SK 海力士表示:“公司成功开发将引领人工智能新时代的 HBM4,并基于此技术成果,在全球首次构建了 HBM4 的量产体系。此举再次向全球市场彰显了公司在面向 AI 的存储器技术领域的领导地位。”

注:高带宽存储器(HBM,High Bandwidth Memory)垂直连接多个 DRAM,相比现有的 DRAM 可显著提升数据处理速度,目前已推出六代产品 ——HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4。

据海力士介绍,全新的 HBM4 采用了较前一代产品翻倍的 2048 条数据传输通道,将带宽扩大一倍,同时能效也提升 40% 以上。凭借这一突破,该产品实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。
公司预测,将该产品引入客户系统后,AI 服务性能最高可提升 69%,这一创新不仅能从根本上解决数据瓶颈问题,还可显著降低数据中心电力成本。
与此同时,此次 HBM4 实现了高达 10Gbps 以上的运行速度,这大幅超越 JEDEC 标准规定的 8Gbps。
据介绍,公司在 HBM4 的开发过程中采用了产品稳定性方面获得市场认可的自主先进 MR-MUF 技术和第五代 10 纳米级(1b)DRAM 工艺,最大程度地降低其量产过程中的风险。
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