近日，无锡宣布启动国内首个全面掌握EUV光刻胶核心技术的研发平台，标志着我国在高端半导体材料领域取得重要突破。EUV光刻机是制造5nm及以下先进工艺不可或缺的设备，而与之配套的EUV光刻胶同样至关重要，是推动芯片制造技术进步的关键材料。

在9月4日召开的2025集成电路（无锡）创新发展大会上，多个重点产业项目陆续发布，其中两项与光刻胶相关的中试平台尤其引人关注。

首先，无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线正式投入建设，这是国内首个实现MOR型光刻胶核心原料、配方及应用技术自主可控的创新平台。该平台所研发的光刻胶将达到国际先进水平，为国产高端芯片制造提供有力支撑。

另一项目为江苏（集萃）光刻胶树脂合成中试线，该平台是国内唯一采用连续流技术合成光刻胶树脂的研发机构，突破性地实现了高分子材料的稳定聚合工艺，为光刻胶关键原料的国产化提供了坚实基础。

MOR型光刻胶作为面向EUV光刻时代的重要技术，采用金属氧化物作为主要成分，替代了传统DUV光刻中使用的CAR型化学增幅光阻剂。这一改变有助于提高光刻分辨率、减小线路间距并降低缺陷率，是实现先进制程的重要保障。

不仅逻辑芯片的5nm以下工艺需要应用EUV光刻胶，未来DRAM内存也将逐步引入EUV技术，对相应材料提出更高要求。虽然目前NAND闪存尚未全面采用EUV工艺，但随着存储密度的不断提升，未来也必然依赖EUV技术来实现更高集成度。