9 月 5 日消息，中微半导体设备（上海）股份有限公司在 CSEAC 2025 第十三届半导体设备与核心部件及材料展上发布了六款半导体设备新产品，覆盖刻蚀 / 蚀刻、原子层沉积 (ALD) 及外延工艺。
中微公司此次带来了新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备 —— CCP 电容性高能等离子体刻蚀机 Primo UD-RIE。
这一机台基于成熟的 Primo HD-RIE 设计架构全面升级而来，拥有六个单反应台反应腔，配备更低频率、更大功率的射频偏压电源，具有更高离子轰击能量，能满足极高深宽比刻蚀对精度和生产效率的严苛要求。
Primo UD-RIE 刻蚀机还引入了自研动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统、温度可切换多区控温静电吸盘、和主动控温边缘组件等创新技术，改进了晶圆边缘刻蚀良率。
中微公司在刻蚀领域还有另一款新品亮相，这就是 Primo Menova 12 英寸 ICP 单腔刻蚀设备，其专注于金属刻蚀尤其是铝线铝块刻蚀领域，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造。
在 ALD 原子层沉积方面，中微公司带来了三种不同版本的 12 英寸原子层沉积设备 Preforma Uniflash 金属栅，包含 TiN / TiAl / TaN 三个分支，能满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。
Preforma Uniflash 系列产品采用中微公司独创的双反应台设计，系统可灵活配置多达五个双反应台反应腔，助力实现业界领先的生产效率。
而对于 EPI 外延，中微公司则端出了全球首款双腔减压外延设备 PRIMIO Epita RP。该机台拥有全球最小反应腔体积且可灵活配置多至 6 个反应腔，能降低消耗品用量、压低生产成本、提升生产效率。
