英伟达拟自研HBM内存Base Die：3nm工艺，2027下半年试产
8 月 19 日消息，台媒《工商时报》本月 16 日报道称，英伟达已启动自家 HBM 内存 Base Die（注：基础裸片）设计计划。英伟达未来的 HBM 内存供应链将采用内存原厂 DRAM Die + 英伟达 Base Die 的组合模式，有望改写下一代 HBM 市场竞争版图。
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据悉英伟达的自研 HBM Base Die 将采用 3nm 工艺制程，预计于 2027 年下半年开始小规模试产。这一时间点大致对应 "Rubin" 后的下一代 AI GPU "Feynman"。
由于传输速率、功能两方面的要求提升，从 HBM4 开始 HBM 内存的 Base Die 转向逻辑半导体制程，而英伟达在这一领域的设计经验明显多于 SK 海力士这样的纯存储半导体制造商。
英伟达自研 Base Die 有助于加强其对 HBM 内存的议价能力，利于向 Base Die 导入一系列高级功能，且能为采用 NVLink Fusion IP 的第三方 ASIC 提供更多模块化组合。
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