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三星HBM3E内存通过英伟达认证,12层堆叠技术引关注

时间:2025-08-14 16:16
8月12日消息,据媒体报道,人工智能(AI)芯片大厂英伟达(NVIDIA)近期与三星电子已达成协议,将供应12层堆叠的HBM3E內存。报道称,根据协议内容,英伟达分批从三星电子获得约3万至5万颗12

8月12日消息,据媒体报道,人工智能(AI)芯片大厂英伟达(NVIDIA)近期与三星电子已达成协议,将供应12层堆叠的HBM3E內存。

报道称,根据协议内容,英伟达分批从三星电子获得约3万至5万颗12层HBM3E 內存。据悉,三星供应的12层堆叠HBM3E 內存将全部用于水冷服务器。

对此,三星电子回应称“无法确认”。

不过,三星电子此前一直被传HBM3E获得英伟达验证,但是多此被证伪。

今年6月,三星电子似乎仍未能通过第3次英伟达12层HBM3E 的认证,第4次认证时间传出是在9月。

值得一提是,有报道称,多位分析师认为该计划可能会延期。

摩根士丹利在最近的一份报告中表示,三星预计将在8月底完成12英寸HBM3E的认证,并在第四季度开始为英伟达量产。

瑞银集团也预测,三星很可能在第四季度通过认证,并开始出货。

高盛在最近的一份报告中表示:“该公司还提到,预计今年下半年其 HBM3E 销售组合将达到 90% 的高水平,我们认为这意味着其将向主要客户全面出货 HBM3E 12-high。”

据了解,三星电子近期正积极压低HBM3E 的生产成本,以争取英伟达下单。

三星电子表示,“考察下半年一般型DRAM价格的上涨趋势,预期HBM3E 与一般型DRAM 之间的利润差距会快速缩小。”

来源:https://news.mydrivers.com/1/1067/1067875.htm
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