三星重启Z-NAND技术，NVMe SSD性能提升15倍

8月10日消息，三星电子曾在2018年推出过对标英特尔3D XPoint傲腾的高端存储产品"Z-NAND"，不过由于市场反响平平，后续并未推出迭代产品。

随着AI时代的到来，三星在本周举办的FMS 2025内存与存储大会上宣布将重启Z-NAND项目，并设定了惊人的性能目标——相比现有NAND闪存提升最高15倍。

三星半导体存储业务执行副总裁透露，新一代Z-NAND不仅将实现最高15倍的性能飞跃，还能将功耗降低80%之多。这项技术将专门针对AI应用场景进行优化，特别是AI GPU运算需求，重点突破点在于大幅降低数据延迟。

为实现这一目标，三星开发了一项名为GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）的新技术，其原理与微软的DirectStorage API类似，可以让GPU直接访问Z-NAND中的数据。

作为英特尔Optane的直接竞品，三星Z-NAND同样定位于DRAM与传统SSD之间的新型存储层，具有更低的系统延迟和更强的性能表现。

值得注意的是，与采用全新架构的3D XPoint不同，三星最初的Z-NAND本质上是经过特殊优化的SLC NAND SSD。它采用改进版的48层V-NAND，并以SLC模式运行。关键创新在于将页大小缩减至2-4KB，相比普通SSD常见的8-16KB页大小，可以实现更精细的数据块读写操作，从而显著降低延迟。

回顾2018年，英特尔Optane和三星Z-NAND的性能大约是传统SSD的6-10倍。如果三星这次能够实现15倍性能提升的目标，将意味着新一代产品将达到当前NVMe SSD的15倍性能。我们将会持续关注这一技术的后续发展。