三星重启Z-NAND技术，性能达传统NAND的15倍

8月10日最新消息显示，三星正计划重启其Z-NAND存储技术项目。据透露，新一代Z-NAND的性能有望达到传统NAND闪存的15倍之多，同时还能将功耗降低80%。

值得注意的是，三星此次还同步开发了一项名为"GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）"的全新技术。这项技术能让GPU绕过CPU直接访问Z-NAND存储设备，其工作原理与微软的DirectStorage API颇为相似。

回顾历史，三星Z-NAND技术最早可追溯至2010年代中期，当时主要是为了与英特尔3D XPoint Optane存储技术展开竞争。这两种技术都代表着新一代固态存储方案，其性能接近DRAM内存，系统延迟则远低于传统SSD。

不过与英特尔方案不同的是，三星初代Z-NAND本质上是对NAND SLC SSD的强化版本。它基于改进的V-NAND架构，采用48层堆叠设计，并以单层单元（SLC）模式运行。通过将页面尺寸缩小至2-4KB，成功实现了更快的数据吞吐和更低的延迟表现。

在当年测试中，基于英特尔Optane和三星Z-NAND的存储设备，其速度比普通SSD快6-10倍。若三星此次的新一代Z-NAND能达到预期目标，其性能将比现有NVMe SSD高出整整15倍。