三星重启Z-NAND技术，性能达传统NAND的15倍
8月10日消息，据报道，三星计划重新推出其Z-NAND存储技术，目标性能比传统NAND闪存提升高达15倍，同时功耗降低80%。
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此外，三星还开发了一种名为“GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）”的新技术，允许GPU直接访问Z-NAND存储设备，类似于微软的DirectStorage API。
三星的Z-NAND技术最初于2010年代中期推出，目标是与英特尔3D XPoint Optane存储技术竞争。两者都引入了一种新型固态存储，其性能接近DRAM，系统延迟远低于传统SSD。
与英特尔的3D XPoint Optane不同，三星的第一代Z-NAND本质上是加速版的NAND SLC SSD。
其基于改进的V-NAND设计，采用48层结构，以单层单元（SLC）模式运行，其关键改进是将页面大小减小至2-4KB，从而实现更快的数据读写速度和更低的系统延迟。
当时，基于英特尔Optane和三星Z-NAND的驱动器速度比传统SSD快6-10倍，如果三星的下一代Z-NAND达到预期目标，其性能将比当前的NVMe SSD高出15倍。
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