三星重启Z-NAND技术,性能达传统NAND的15倍
8月10日消息,据报道,三星计划重新推出其Z-NAND存储技术,目标性能比传统NAND闪存提升高达15倍,同时功耗降低80%。
此外,三星还开发了一种名为“GPU-Initiated Direct Storage Access(GIDS)”的新技术,允许GPU直接访问Z-NAND存储设备,类似于微软的DirectStorage API。
三星的Z-NAND技术最初于2010年代中期推出,目标是与英特尔3D XPoint Optane存储技术竞争。两者都引入了一种新型固态存储,其性能接近DRAM,系统延迟远低于传统SSD。
与英特尔的3D XPoint Optane不同,三星的第一代Z-NAND本质上是加速版的NAND SLC SSD。
其基于改进的V-NAND设计,采用48层结构,以单层单元(SLC)模式运行,其关键改进是将页面大小减小至2-4KB,从而实现更快的数据读写速度和更低的系统延迟。
当时,基于英特尔Optane和三星Z-NAND的驱动器速度比传统SSD快6-10倍,如果三星的下一代Z-NAND达到预期目标,其性能将比当前的NVMe SSD高出15倍。

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